消息称三星已锁定约 70% 存储芯片产能至 2031 年，HBM 长协价仅为现货五分之一

这些长期协议能够让三星客户获得远低于现货市场的价格。据报道，HBM 现货价格最高可达到长期协议价格的 5 倍。

SEDaily 报道称，HBM 需求持续飙升，已经导致 DRAM 市场供应趋紧。

HBM 可以理解为将多层 DRAM 芯片进行堆叠封装而成的高性能内存。随着内存厂商开始向 HBM4 过渡，DRAM 市场面临的供应压力也进一步加大。

报道称，与此前的 HBM 产品相比，新一代 HBM4 单个模块使用的 DRAM 堆叠层数更多，因此会占用更多 DRAM 产能，并进一步减少可用于其他用途的 DRAM 供应量。

受此影响，韩国两大存储芯片厂商三星和 SK 海力士已经开始考虑进一步扩大内存产能。

具体来看，三星正在考虑将其位于平泽园区的 S5 晶圆厂改造为内存制造工厂；而 SK 海力士则有意与一家日本企业合作，共同建设一家合资工厂。

更值得关注的是，该报道称，三星已经将高达 70% 的内存产能预留给长期供应协议，以满足最远持续至 2031 年的内存芯片供应合同。

长期供应协议（LTA）是近年来存储芯片市场出现的一种新模式。分析人士认为，这类协议能够让厂商提前锁定需求，提高市场需求的可预测性，从而在一定程度上削弱存储芯片行业传统的周期性波动。

据报道，微软、英伟达和谷歌均是三星长期供应协议的客户。

此外，长期协议价格与现货价格之间存在明显差距。

报道称，一颗 36GB HBM3E 模组目前的现货价格约为 287 万韩元（IT之家注：现汇率约合 14,031 元人民币），而长期供应协议中，同类产品的价格仅为 50 万至 70 万韩元（现汇率约合 2,445 至 3,422 元人民币）。

对于采用 16 层 DRAM 堆叠的 HBM4 产品，价格还会进一步上涨，单个模组的价格约为 480 万韩元（现汇率约合 23,467 元人民币）。

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